F11S80C3 [SHINDENGEN]
Power MOSFET; 功率MOSFET
| 型号： | F11S80C3 |
| 厂家： | 
SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD |
| 描述： | Power MOSFET |
| 文件： | 总2页 (文件大小：160K) |
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PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Unit：mm
Package：STO-220
F11S80C3
ロット記号（例）
10.2
800V11A
Date code
④
管理番号（例）
Control No.
特 長
0000
煙低オン抵抗
品名略号
Type No.
11S80C3
煙高速スイッチング
煙面実装タイプ
Feature
4.7
煙LowRON
:
① G
煙FastSwitching
煙SMDPackage
:
②
D
:
③
S
:
①② ③ ④ D
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
指定のない場合
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（
Tc＝25℃）
項
目
記号
条
件
規格値
単位
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
保存温度
Tstg
Tch
－55～150
150
800
±30
11
StorageTemperature
℃
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
V
DSS
Drain-SourceVoltage
V
ゲート・ソース間電圧
V
GSS
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
I
D
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
パルス幅10μs,duty=1/100
Pulsewidth10µs,duty=1/100
I
DP
33
ContinuousDrainCurrent(Peak)
A
ソース電流（直流）
I
S
11
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
P
T
50
W
TotalPowerDissipation
指定のない場合
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（
Tc＝25℃）
規格値 Ratings
項
目
記号
Symbol
条
件
単位
Item
Conditions
Unit
MIN TYP MAX
ドレイン・ソース間降伏電圧
V
I＝1mA,V ＝0V
D GS
800
─
─
─
─
25
V
（BR）DSS
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
I
V ＝800V,V ＝0V
DS GS
DSS
ZeroGateVoltageDrainCurrent
μA
ゲート漏れ電流
I
V ＝±30V,V ＝0V
GS DS
─
─
±0.1
─
GSS
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
gfs I＝5.5A,V ＝10V
D DS
4.2
─
8.3
S
Ω
ForwardTransconductance
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
（DS）ON
I＝5.5A,V ＝10V
D GS
0.39 0.45
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
ゲートしきい値電圧
V
I＝0.5mA,V ＝10V
D DS
2.1
─
3.0
─
3.9
1.5
2.5 ℃/W
nC
TH
GateThressholdVoltage
V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
V
SD
I＝5.5A,V ＝0V
S GS
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
熱抵抗
接合部・ケース間
Junctiontocase
θjc
─
─
ThermalResistance
ゲート全電荷量
Qg V ＝10V,I＝11A,V ＝400V
GS D DD
─
54
1690
22
740
21
30
225
35
─
─
─
─
─
─
─
─
TotalGateCharge
入力容量
Ciss
Crss V ＝25V,V ＝0V,f＝1MHz
─
InputCapacitance
帰還容量
─
pF
DS
GS
ReverseTransferCapacitance
出力容量
Coss
td（on）
tr
─
OutputCapacitance
ターンオン遅延時間
─
Turn-ondelaytime
上昇時間
─
I＝5.5A,V ＝150V,R ＝27.3Ω
D DD L
Risetime
ns
ターンオフ遅延時間
V
GS（＋）
＝10V,V
＝0V
GS（－）
td（off）
tf
─
Turn-offdelaytime
下降時間
─
Falltime
※ケース温度によりジャンクション温度を算出する場合の熱抵抗値は、1.2〔℃/W〕を御使用下さい。但し、上記印加電流、電圧は安全動作領域内での御使用を前提とします。
TheJunctionTemperatureiscalculatedfromthecasetemperature,thermalresistancevalueuses1.2℃/W.UseintheSafeOperatingAreaforinputcurrentandvoltage.
（MOSFET〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
F11S80C3
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
出力特性
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current
１０
Typical Output Characteristics
Transfer Characteristics
２２
VGS＝10V
Ｔｃｃ=－－５５℃
Tc＝２５℃
TYP
ꢀ１０００℃
ꢀ１５００℃
２０
２０
２５５℃
１００ＶＶ
５
８Ｖ
VVＧS=６６Ｖ
Pulse measurement
１５
１５
１０
５
２
１
１０
０．５
Tc=25℃
TYP
５
Pulse measurement
VDS=２５V
０．２
０．１
TYP
VVＧS=４４ＶＶ
Pulse measurement
１５
０
０
０
０
５
１０
１５
２０
５
１０
２０
０．１ ０．２
０．５
１
２
５
１０
２２
Drain Source Voltage VDS〔V〕
Gate Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Drain Current ID〔A〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
安全動作領域
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature Safe Operating Area
５
１０
３３
Pulse measurement
Pulse measurement
２２
10μμs
１１
４
１
IIDD==５５５A
R
DSS（（oonn）
100μμs
200μμs
３
２
１
０
Restrricted spaaccee
１
1ms
０．１
10ms
DC
０．１
V
DS＝１０V
ID=０５. mA
TYP
V
GS＝10V
Pulse test
TYP
Tc＝２５℃
Single pulse
０．０１
０．０１
－５５
０
５０
１００
１５０
－５５
０
５０
１００
１５０
１
１０
１００
８００
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
１００
Capacitance Characteristics
１０００００
Power Derating - Case Temperature
１００
１０
１００００
８０
６０
４０
２０
０
θjc
Ｃ
ｉｉｓｓｓｓ
１
１０００
Ｃooｓｓｓｓ
Ｃrrｓｓｓｓ
０１.
１００
００. １
１０
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
００. ０１
１０
１
-５
-４
１０
-３
１０
-２
１０
-１
１０
０
１０
１
１０
1
２０
４０
６０
８０
１００
０
２５
５０
７５
１００
１２５
１５０
Time t〔s〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
Case Temperature Tc〔℃〕
ゲートチャージ特性
Gate Charge Characteristics
５００
２０
I
D=１１A
TYP
VDS
４００
１５
V
DD=４００Ｖ
２００Ｖ
VＧS
３００
１００Ｖ
１０
２
０
０
０
０
５
１０
０
１００
０
２０
４０
６０
８０
Total Gate Charge Qg〔nC〕
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsinewaveisusedformeasurements.
（MOSFET〈2010.06〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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