D6SBN20 [SHINDENGEN]
SBD Bridge Diode; SBD桥式二极管
| 型号： | D6SBN20 |
| 厂家： | 
SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD |
| 描述： | SBD Bridge Diode |
| 文件： | 总2页 (文件大小：136K) |
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SBDブリッジダイオード
SBD Bridge Diode
シングルインライン型
Single In-line Package
■外形寸法図ꢀOUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Weight：6.3g（typ.）
Package：5S
D6SBN20
管理番号（例）
Control No.
4.6±0.2
3.6±0.2
ロット記号（例）
Date code
品名
Type No.
30±0.3
200V 6A
C3
D6SBN 20ꢀ0264
特 長
●薄型SIPパッケージ
●SBDブリッジ
+
～
～
－
～ ～
＋
①
－
④
2.5±0.2
2.2±0.2
②
③
2.7±0.2
●低VF・低I
R
Feature
1.0±0.1
0.7±0.1
±0.2
7.5
±0.2
7.5
10±0.2
●Thin-SIP
●SBD Bridge
①
②
③
④
●Low VF・Low I
R
（製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）
■定格表 RATINGS
指定のない場合は
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（
Tc=25℃／unless otherwise specified）
品 名
項
目
記号
Symbol
単位
Unit
条 件
Conditions
D6SBN20
TypeꢀNo.
Item
保存温度
Storage Temperature
Tstg
－55～150
℃
℃
V
接合部
温度
Tj
150
200
6
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
VRM
フィン付き
Tc=110℃
Ta=26℃
With heatsink
出力電流
Average Rectified Forward Current
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave, Resistance load
IO
A
フィンなし
Without heatsink
3
50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃
せん頭サージ順 電流
IFSM
Vdis
TOR
120
2.0
0.8
A
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
Peak Surge Forward Current
一括端子・ケース間，AC１分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
絶縁耐圧
Dielectric Strength
kV
（推奨値：0.5 N・m）
（Recommended torque : 0.5 N・m）
締め付けトルク
Mounting Torque
N・m
指定のない場合は
●電気的・熱的特性ꢀElectrical Characteristics（
Tc=25℃／unless otherwise specified）
パルス測定，一素子当たりの規格値
順
電圧
MAX
MAX
TYP
IF=3A,
VF
IR
0.90
2.0
85
V
Pulse measurement, per diode
Forward Voltage
パルス測定，一素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
逆電流
Reverse Current
VR=200V,
μA
一素子当たりの規格値
per diode
接合容量
Junction Capacitance
Cj
f=1MHz, VR=10V,
pF
接合部
・ケース間，フィン付き
MAX
θjc
θjl
θja
3.4
5.0
26
junction to case, With heatsink
熱抵抗
Thermal Resistance
接合部
・リード間
MAX
℃/W
junction to lead
接合部・ 周囲間
MAX
junction to ambient
www.shindengen.co.jp/product/semi/
144
（J 514-6）
D6SBN20
■特性図ꢀCHARACTERISTIC DIAGRAMS
順
方向特性
順
電力損失曲線
せん頭サージ順 電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
Forward Voltage
Forward Power Dissipation
16
200
50
DC
D=0.8
14
10ms 10ms
lcycle
non-repetitive
sine wave
Tj=25℃
0.5
150
12
10
8
SIN
10
0.3
Tc=150℃（MAX）
Tc=150℃（TYP）
Tc=25℃（MAX）
Tc=25℃（TYP）
〔
〔
0.2
0.1
100
50
0
0.05
1
6
Io
0
4
tp
T
Pulse measurement
2
Tj=150℃ D=tp/T
per diode
〔
〔
0.1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1
10
100
0
2
4
6
8
10
Number of Cycles
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Forward Voltage VF〔V〕
逆方向特性
Reverse Current
逆電力損失曲線
Reverse Power Dissipation
接合容量
Junction Capacitance
1000
1.2
1000
f=1MHz
Tc=25℃
TYP
0
V
R
tp
DC
D=0.05
0.1
500
200
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
T
〔
per diode
〔
100
10
Tj=150℃ D=tp/T
0.2
0.3
100
50
0.5
1
SIN
0.8
0.1
20
10
Pulse measurement
per diode
〔
〔
0.01
0
50
100
150
R〔V〕
200
0
50
100
150
200
0.1
1
10
100 200
Reverse Voltage V
Reverse Voltage VR〔V〕
Reverse Voltage VR〔V〕
Io
ディレーティングカーブTa
ーIo
ディレーティングカーブTc
ーIo
0
0
V
R
Derating Curve Ta
ーIo
Derating Curve Tc
ーIo
Io
0
0
tp
T
D=tp/T
5
10
VR
DC
tp
T
D=tp/T
DC
heatsink Tc-sensing point
Tc
D=0.8
8
D=0.8
4
+
～
～
－
P.C.B
0.5
0.5
SIN
SIN
3
0.3
on glass-epoxy substrate
Soldering land 5mmφ
6
0.3
VR＝VRM
0.2
2
〔
〕
0.2
4
0.1
0.1
0.05
1
0.05
2
VR＝VRM
〔
〕
0
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120 140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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（J 514-6）
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