SCA160DA [SANREX]
THYRISTOR MODULE;
| 型号： | SCA160DA |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | THYRISTOR MODULE |
| 文件： | 总3页 (文件大小：1230K) |
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THYRISTOR MODULE
SCA（SCE）160DA
UL; E76102（M）
SCA（SCE）160DA
《Features and Advantages》
《特長》
93.5±1.0
80±0.3
• 独自のゲート構造チップの採用でdi/dt耐量向上
3-M6
•
•
•
New and unique gate design for higher di/dv (Integrated
（screwing depth:12mm）
Thyristor. 2.5 times higher than existing products)
(サイリスタ部 従来比2.5倍〔当社比〕)
2－φ6.5±0.2
2－5.0±0.3
2
6
4
7
Newly designed and less-layered internal structure for
improved heat dissipation (low thermal resistance)
In addition to reduced layer design, soldering on both
sides of chips increased the long-term reliability
(2 times longer than existing products)
• 新設計の低積層内部構造により放熱性を改善
• チップの両面はんだ接合との相乗効果でさらに
5
長期信頼性が向上(従来比2倍〔当社比〕)
1
3
• 環境に配慮した鉛フリーはんだを採用
• UL規格取得 UL File №E76102
• 欧州RoHS指令適合
23±0.3
63.5
23±0.3
17.0
• UL recognized under UL File №E76102
• EU RoHS compliant
《Applications》
《用途》
• Motor drives
• Servo controller
• Power controller
• UPS
• 汎用インバータ
• サーボコントローラ
• 電力調整器
• UPS
• ソフトスターター
• 各種電源装置
• Soft starter
Unit 単位：mm
• Power supplies
Circuit Diagram
1
2
+
3
1
2
+
3
6（G2) 7（K2）
4（G1）5（K1）
－
～
4（G1）5（K1）
～
－
SCA
SCE
■Maximum Ratingsꢀ最大定格
（Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする）
Ratingsꢀ定格値
Symbol
記号
Item
項ꢀ目
Unit
単位
SCA160DA80
SCE160DA80
SCA160DA160
SCE160DA160
*Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
VRSM
VDRM
800
960
800
1600
1700
1600
V
V
V
＊定格ピーク繰返し逆電圧
*Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
＊定格ピーク非繰返し逆電圧
Repetitive Peak Off-state Voltage
定格ピーク繰返しオフ電圧
Symbol 記号
Itemꢀ項ꢀ目
Conditionsꢀ条ꢀ件
Ratingsꢀ定格値
Unit 単位
IT（AV）
IF（AV）
IT（RMS）
IF（RMS）
ITSM
IFSM
Single phase, half wave, 180°conduction,
*Average On-state（Forward）Current
Tc＝88℃
Tc＝88℃
160
A
＊定格平均オン（順 ）電流
単相半波平均値 180°導通角
Single phase, half wave, 180°conduction,
*R.M.S. On-state（Forward）Current
251
A
A
＊定格実効オン（順 ）電流
単相半波実効値 180°導通角
*Surge On-state（Forward）Current
½cycle, 50/60Hz, Peak value, non-repetitive
50/60Hzꢀ商用単相半波ꢀ１サイクル波高値 ꢀ非繰返し
Value for one cycle surge current
定格サージオン電流に対する値
5400/5900
＊定格サージオン（順 ）電流
*I2t
I2t
PGM
PG（AV）
IFGM
VFGM
VRGM
di/dt
VISO
Tj
145000
A2s
W
＊電流二乗時間積
Peak Gate Power Dissipation
定格ピークゲート損失
Average Gate Power Dissipation
定格平均ゲート損失
Peak Gate Current
定格ピークゲート順 電流
10
3
W
3
A
Peak Gate Voltage（Forward）
10
5
V
定格ピークゲート順 電圧
Peak Gate Voltage（Reverse）
V
定格ピークゲート逆電圧
Critical Rate of Rise of On-state Current
定格臨界オン電流上昇率
*Isolation Breakdown Voltage
＊絶縁耐圧
IG＝100mA, V
D＝½VDRM, dIG/dt＝0.1A/μs
500
A/μs
V
A.C. 1minute
実効値 ，A.C.１分間
2500
*Operating Junction Temperature
－40～＋125
－40～＋125
℃
℃
＊定格接合部温度
*Storage Temperature
Tstg
＊保存温度
Recommended value
Moun（t M6）取付
Termina（l M6）主端子
2.5～3.9N・m
2.5～3.9N・m
4.7
4.7
210
Mounting Torque
締付トルク
推奨値
N・m
Recommended value
推奨値
Massꢀ質量
Typical valueꢀ標準値
g
（SCA160AA-S75-1303）
(
)
SCA SCE 160DA
■Electrical Characteristicsꢀ電気的特性
（Tj＝25℃ unless otherwise specified／指定なき場合はTj＝25℃とする）
Ratingsꢀ定格値
Symbol 記号
Itemꢀ項ꢀ目
Conditionsꢀ条ꢀ件
Unit 単位
min. typ. max.
最小
標準
最大
Repetitive Peak Off-state Current
IDRM
Tj＝125℃, VD＝VDRM
100
mA
mA
V
オフ電流
*Repetitive Peak Reverse Current
＊逆電流
IRRM
Tj＝125℃, VR＝VRRM
IT＝500A
100
1.4
VTM
VFM
*On-state（Forward）Voltage
＊オン（順 ）電圧
Tj＝25℃
Tj＝125℃
Tj＝25℃
Tj＝125℃
1.07
0.87
1.50
0.96
*Threshold Voltage
VT（TO）
V
＊閾値 電圧
*Dynamic Resistance
＊オン抵抗
rt
mΩ
Gate Trigger Current
IGT
VGT
VD＝6V, IT＝1A
100
3
mA
V
ゲートトリガ電流
Gate Trigger Voltage
ゲートトリガ電圧
VD＝6V, IT＝1A
Gate Non-Trigger Voltage
ゲート非トリガ電圧
VGD
Tj＝125℃, VD＝½VDRM
0.25
V
Turn-on Time
tgt
I
T
＝160A, I
G
＝100mA, V
D
＝½VDRM, dI
G
/dt＝0.1A/μs
10
μs
V/μs
mA
mA
ターンオン時間
Critical Rate of Rise of Off-state Voltage
臨界オフ電圧上昇率
Holding Current
保持電流
Latching Current
ラッチング電流
dv/dt
IH
Tj＝125℃, VD＝⅔VDRM, exp. waveform
1000
140
230
IL
Junction to case
cont.,
接合部―ケース間
, per one element
*Thermal Resistance
＊熱抵抗
Rth（j-c）
0.17 ℃/W
cont., 単位エレメント当り
sin.180°, Junction to case, per one element
0.18
℃/W
0.19
接合部―ケース間, sin.180°, 単位エレメント当り
*Effective Thermal Resistance
＊実効熱抵抗
Rth（j-c）
Rth（c-s）
rec.120°, Junction to case, per one element
接合部―ケース間, rec.120°, 単位エレメント当り
Case to Heat sink, per one element
ケース―ヒートシンク間, 単位エレメント当り
Thermal conductivity（Silicon grease）＝7×10－［3 W/㎝・℃］
シリコングリスの熱伝導率＝7×10－3［W/㎝・℃］
*Interface Thermal Resistance
＊接触熱抵抗
0.1 ℃/W
*mark: Thyristor and Diode part. No mark: Thyristor part.
注）上表中＊印の項目は、サイリスタ部及びダイオード部の両方に適用します。その他の項目は主にサイリスタ部に適用します。
Gate Characteristics
100 ゲートトリガ特性
Maximum On Characteristics
最大順 特性
2000
1800
1600
25℃ TYP
125℃ MAX
Peak Forward Gate Voltage
Peak Gate Power
ゲート電圧
定格ピークゲート順 電圧（10V）
定格ピークゲート損失（10W）
1400
10
（V）1
0.1
オン電
1200
1000
流
800
IT
Average Gate Power
定格平均ゲート損失（3W）
600
（A）
125℃ 25℃
－30℃
400
125℃ TYP
Minimum Gate Non-Trigger
最小非トリガ電圧
200
0
25℃ MAX
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
100
1000
10000
10
On-state Voltage DropꢀVTM（V）
Gate Current
オン電圧ꢀVTM（V）
ゲート電流（mA）
(
)
SCA SCE 160DA
Surge Forward Current Rating（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
過渡熱インピーダンス特性
6000 サージ順 電流耐量（非繰り返し）
0.3
per one Element
単位エレメント当たり
junction to sinkθj-s
接合部─シンクθj-s
0.25
5000
Per one element
過渡熱抵抗
単位エレメント当り
サージ順 電流
0.2
4000
junction to caseθj-c
接合部─ケースθj-c
3000
2000
0.15
60Hz
50Hz
θj-c
（℃/W）0.1
I
FSM
Single phase half wave
Tj＝25℃ start
（A）
0.05
0
1000
0
1.0E+01
1.0E+02
1.0E－03
1.0E－02
1.0E－01
1.0E+00
1
10
100
Times
Time
時間ꢀt（秒）
通電サイクル数 n（Cycles）
Current vs. Power Dissipation
Current vs. Allowable Case Temperature
250 最大電力損失特性
150 電流対最大許容ケース温度
最大許容ケース温度
140
θ=180゜
360゜
２π
180゜
π
0
200
130
120
110
θ=120゜
θ=90゜
θ
電力損失
150
θ=60゜
100
90
θ=30゜
ꢀ
P
100
（W）
ꢀ
80
360゜
２π
180゜
π
TC
0
50
70
（℃）
θ
θ=30゜ θ=60゜ θ=90゜θ=120゜ θ=180゜
60
50
０
０
20
40
60
80
100
120 140 160
180 200
０
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
Average On-State Current
Average On-state Current
平均オン電流ꢀIT（AV）（A）
平均オン電流ꢀIT（AV）（A）
Output Curren
（t B2；Two pulse bridge connection）
Output Curren（t W１；Bidirectional connection）
許容出力電流（W1;逆並列接続）
許容出力電流（B2;単相ブリッジ接続）
75
75
Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module
th:Heat Sink Thermal Impedance
Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module
Conduction Angle 180°
Conduction Angle 180°
R
Rth:Heat Sink Thermal Impedance
80
80
ID（RMS）
500
1000
ID（AV）
85
85
Rth:0.5℃/W
Rth:0.3℃/W
Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W
Rth:0.05℃/W
許容ケース温
度
許容ケース温
90
90
800
400
R
:0.5℃/W
Rth:0.3℃/W
Rth:0.2℃/W
Rth:0.1℃/W
Rtthh:0.05℃/W
総損
総損
95
95
600
失
300
100
105
110
115
120
125
100
105
110
115
120
125
失
（W）
（W）
400
度
200
100
0
（℃）
（℃）
200
0
0
50 100 150 200 250 300
Output Current
－
25
0
25 50 75 100 125
0
100
200
300
－
25
0
25 50 75 100 125
Ambient Temperature
Ambient Temperature
Output Current
出力電流（A）
周囲温度（℃）
出力電流（A）
周囲温度（℃）
Output Current
（B6；Six pulse bridge connection,W3；Three phase bidirectional connection）
許容出力電流（B6；三相ブリッジ接続,W3；三相逆並列接続）
75
Interface Thermal Impedance:0.05℃/W per Module
Conduction Angle 180°
Rth:Heat Sink Thermal Impedance
1600
1400
80
ID（AV）
W3
85
許容ケース温
度
B6
90
1200
ID（RMS）
総損
Rth:0.5℃/W
Rth:0.3℃/W
Rth:0.2℃/W
95
1000
失
100
105
110
115
120
125
RRtthh::00..015℃℃//WW
800
（W）
600
400
200
（℃）
0
0
100
400
－
0
25 50 75 100 125
Output 2C00urre3n0t0
25Ambient Temperature
出力電流（A）
周囲温度（℃）
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