元器件型号: | BU407 |
生产厂家: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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型号参数:BU407参数 | |
生命周期 | Obsolete |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.64 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 7 A |
集电极-发射极最大电压 | 150 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 60 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 10 MHz |
Base Number Matches | 1 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管