BU407 [SAMSUNG]

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR; NPN外延硅晶体管
BU407
元器件型号: BU407
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管

晶体 晶体管 开关 局域网
PDF文件: 总4页 (文件大小:158K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:BU407参数
生命周期Obsolete
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.64
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值60 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1