BCW60D [SAMSUNG]

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR; NPN外延硅晶体管
BCW60D
元器件型号: BCW60D
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管

晶体 晶体管
PDF文件: 总1页 (文件大小:39K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:BCW60D参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
Reach Compliance Codenot_compliant
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.13
其他特性LOW NOISE
基于收集器的最大容量2.5 pF
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)130
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.55 V
Base Number Matches1