2N6516 [SAMSUNG]

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR; NPN外延硅晶体管
2N6516
元器件型号: 2N6516
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管

晶体 小信号双极晶体管
PDF文件: 总1页 (文件大小:40K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:2N6516参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.15
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
Base Number Matches1