元器件型号: | 2N6428 |
生产厂家: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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型号参数:2N6428参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 5.49 |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 250 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 100 MHz |
Base Number Matches | 1 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管