2N5089 [SAMSUNG]

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR; NPN外延硅晶体管
2N5089
元器件型号: 2N5089
生产厂家: SAMSUNG SEMICONDUCTOR    SAMSUNG SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NPN外延硅晶体管

晶体 晶体管
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型号参数:2N5089参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商ALLEGRO MICROSYSTEMS LLC
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.63
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量4 pF
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)400
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1