元器件型号: | 2N4125 |
生产厂家: | SAMSUNG SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
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型号参数:2N4125参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
Reach Compliance Code | not_compliant |
风险等级 | 5.07 |
Is Samacsys | N |
基于收集器的最大容量 | 4.5 pF |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
VCEsat-Max | 0.4 V |
Base Number Matches | 1 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
PNP外延硅晶体管