元器件型号: | 2SA1977 |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER |
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型号参数:2SA1977参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.75 |
风险等级 | 5.75 |
最大集电极电流 (IC) | 0.05 A |
基于收集器的最大容量 | 1 pF |
集电极-发射极最大电压 | 12 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.2 W |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 8500 MHz |
Base Number Matches | 1 |
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER
PNP外延硅晶体管微波放大器