元器件型号: | 2SA1121SCTL-E |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | Silicon PNP Epitaxial |
PDF文件: | 总5页 (文件大小:65K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2SA1121SCTL-E参数 | |
Brand Name | Renesas |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Not Recommended |
零件包装代码 | MPAK |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | PLSP0003ZB-A3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.75 |
风险等级 | 5.24 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 35 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码 | e6 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子面层 | TIN BISMUTH |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 120 MHz |
Base Number Matches | 1 |
Silicon PNP Epitaxial
PNP硅外延