元器件型号: | 2N7272 |
生产厂家: | RENESAS TECHNOLOGY CORP |
描述和应用: | 8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF 晶体管 |
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型号参数:2N7272参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | INTERSIL CORP |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.84 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | RADIATION HARDENED |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A |
最大漏极电流 (ID) | 8 A |
最大漏源导通电阻 | 0.18 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-205AF |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 25 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
8A, 100V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-205AF
晶体管