首页 |元器件品牌

CSD1306E [RECTRON]

SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons; SOT -23 - 功率晶体管和达林顿
CSD1306E
型号： CSD1306E
厂家： RECTRON SEMICONDUCTOR    RECTRON SEMICONDUCTOR
描述：

SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons
SOT -23 - 功率晶体管和达林顿

晶体 小信号双极晶体管 光电二极管
文件： 总2页 (文件大小：27K)
中文：  中文翻译
下载：  下载PDF数据表文档文件
 查看货源
See below  
for  
RECTRON  
SEMICONDUCTOR  
Part #  
TECHNICAL SPECIFICATION  
SOT-23 - Power Transistor and Darlingtons  
Maximum Ratings  
Electrical Characteristics (at Ta = 25°C unless otherwise specified)  
Part # Polarity VCBO VCEO VEBO  
(V) (V) (V)  
PD  
(W)  
IC  
ICBO  
VCB hFE  
hFE  
IC  
VCE  
VBE (SAT)  
(V)  
min -  
max  
IC  
fT  
IC  
(mA)  
@
@
VCE (SAT)  
(V)  
Max  
@
@
(A) (uA)  
Max  
(A) (V)  
(A) (MHz)  
Min  
Min Min Min @ 25 OC  
Min Max  
*BC807  
*BC808  
*BC817  
*BC818  
*BC846  
*BC847  
*BC848  
*BC849  
*BC850  
*BC856  
*BC857  
*BC858  
*BC859  
*BC860  
BF820  
PNP  
PNP  
NPN  
NPN  
NPN  
NPN  
NPN  
NPN  
NPN  
PNP  
PNP  
PNP  
PNP  
PNP  
501 45  
301 25  
501 45  
301 25  
80 65  
50 45  
30 30  
30 30  
50 45  
80 65  
50 45  
30 30  
30 30  
50 45  
5
5
5
5
6
6
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
4
4
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.5 100  
0.5 100  
0.5 100  
0.5 100  
20 100 600  
20 100 600  
20 100 600  
20 100 600  
30 110 450  
30 110 800  
30 110 800  
30 200 800  
30 200 800  
30 125 475  
30 125 800  
30 125 800  
30 125 800  
30 125 800  
200 50  
100  
100  
100  
100  
2
1
1
1
1
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.70  
0.70  
0.70  
0.70  
0.60  
0.60  
0.60  
0.60  
0.60  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
0.65  
500  
500  
500  
500  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
30  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
1
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
2
2
2
2
2
2
2
2
2
NPN 300 3002  
PNP 300 3002  
NPN 250 250  
PNP 250 250  
0.05 10  
0.05 10  
0.05 10  
0.05 10  
25  
25  
25  
25  
1
20 0.60  
20 0.80  
20 0.60  
20 0.80  
10  
BF821  
200 50  
30  
BF822  
200 50  
30  
BF823  
200 50  
30  
BF840  
NPN  
40 40  
0.25 0.025 100  
0.25 0.025 100  
4MIN 5MAX  
20 67 222  
20 36 125  
380  
380  
BF841  
NPN  
40 40  
1
10  
1
* hFE  
1VCES  
VCER ICEX  
2
3
Part #  
Polarity VCBO VCEO VEBO PD  
Min Min Min  
IC ICBO @ VCB hFE hFE  
(V)  
@
IC  
VCE VCE (SAT) VBE (SAT)  
(V) (V)  
Max Mn-Mx  
@
IC  
fT  
@ IC  
(V) (V) (V) (W) (A) (uA)  
(A) (V)  
(mA) (MHz) (mA)  
Max  
Min Max  
CMBT918  
NPN  
NPN  
PNP  
NPN  
PNP  
NPN  
PNP  
PNP  
NPN  
30 15  
75 40  
60 60  
60 40  
40 40  
60 40  
40 40  
3
6
5
6
5
6
5
0.225 0.35 50  
0.25 0.6 10  
0.25 0.6 10  
0.25 0.2 503  
0.25 0.2 503  
0.25 0.6 1003  
0.25 0.6 1003  
15 20  
3
1
0.40  
-
10  
150  
150  
10  
4
-
1.004  
CMBT2222A  
CMBT2907A  
CMBT3904  
CMBT3906  
CMBT4401  
CMBT4403  
CMBT5401  
CMBT5551  
60 100 300  
50 100 300  
30 100 300  
30 100 300  
35 100 300  
35 100 300  
150 10  
150 10  
0.30 0.604  
20  
50  
10  
10  
20  
20  
10  
10  
-
1.205  
0.40  
-
-
1.305  
10  
10  
1
1
1
2
0.20 0.654  
-
0.855  
0.25 0.654  
0.855  
0.40 0.754  
10  
-
-
150  
150  
150  
150  
10  
0.955  
0.40 0.754  
0.955  
-
160  
150  
-
0.20  
5
6
0.25 0.5 50  
0.25 0.6 50  
120 60 240  
120 80 250  
10  
10  
5
5
3005  
3005  
1.005  
180 160  
0.15  
-
10  
1.005  
CMBTA05  
CMBTA06  
CMBTA13  
CMBTA14  
NPN  
NPN  
NPN  
NPN  
60 60  
80 80  
4
4
0.25 0.5 100  
0.25 0.5 100  
60 100  
80 100  
30 10k  
30 20k  
-
-
-
100  
100  
100  
100  
1
1
5
5
0.25  
0.25  
1.50  
1.50  
-
-
-
100  
100  
100  
100  
-
-
-
10  
10  
10  
10  
30 301 10 0.25 0.3 100  
30 301 10 0.25 0.3 100  
-
-
-
-
-
-
CMBTA42  
NPN  
300 300  
6
0.25 0.5 100  
200 40  
10  
10  
0.50  
-
20  
10  
0.905  
CMBTA55  
CMBTA56  
CMBTA92  
PNP  
PNP  
PNP  
60 60  
80 80  
300 300  
4
4
5
0.25 0.5 100  
0.25 0.5 100  
0.25 0.5 250  
60 100  
80 100  
200 40  
-
-
100  
100  
10  
1
1
0.25  
0.25  
0.50  
-
-
100  
100  
20  
-
-
100  
100  
10  
10  
-
-
-
0.905  
CMMT451  
NPN  
80 60  
5
0.5 1.0 100  
60 50 150  
150 10  
0.35  
-
150  
50  
-
-
-
1.105  
CMMT491  
CMMT551  
NPN  
PNP  
80 60  
80 60  
5
5
0.5 1.0 100  
0.5 1.0 100  
60 100 300  
60 50 150  
500  
5
0.25  
0.35  
-
500  
150  
50  
50  
150 10  
-
1.105  
CMMT591  
PNP  
PNP  
PNP  
NPN  
80 60  
50 50  
15 15  
60 50  
5
5
5
5
0.5 1.0 100  
0.15 0.15 100  
0.2 0.80 100  
0.15 0.15 100  
60 100 300  
50 200 400  
15 200 400  
60 200 400  
500  
2
5
6
1
6
0.30  
0.30  
0.25  
0.25  
-
-
-
-
500  
100  
400 1204  
-
-
50  
1
CSA1162GR  
CSA1362GR  
CSC2712GR  
100  
2
10  
1
100  
-
100-  
CSD1306E  
NPN  
30 15  
5
0.2 0.70  
0
20 400 800  
150  
1
0.50  
-
500 2504  
150  
1 ICE0  
2ICBO  
3VCES 4ICER  
5fT Typical Values  

相关型号：

CSD1306F

 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
CDIL

CSD13201W10

 N-Channel NexFET Power MOSFET
TI

CSD13201W10_15

 N-Channel NexFET Power MOSFET
TI

CSD13202Q2

 12V N-Channel NexFET Power MOSFETs
TI

CSD13302W

 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI

CSD13302WT

 采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZB | 4 | -55 to 150
TI

CSD13303W1015

 N-Channel NexFET™ Power MOSFET
TI

CSD13306W

 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI

CSD13306WT

 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZC | 6 | -55 to 150
TI

CSD13380F3

 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI

CSD13380F3T

 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YJM | 3 | -55 to 150
TI

CSD13381F4

 CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET
TI
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明