元器件型号: | 1N4448T/R |
生产厂家: | NXP SEMICONDUCTORS |
描述和应用: | 0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, ALF2, SC-40, 2 PIN 二极管 |
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型号参数:1N4448T/R参数 | |
是否Rohs认证 | 符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | NXP SEMICONDUCTORS |
零件包装代码 | DO-35 |
包装说明 | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, ALF2, SC-40, 2 PIN |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.10.00.70 |
风险等级 | 5.58 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
JESD-609代码 | e3 |
湿度敏感等级 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | 2 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 200 °C |
最大输出电流 | 0.2 A |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
参考标准 | CECC50001-021 |
最大重复峰值反向电压 | 100 V |
最大反向电流 | 0.025 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs |
子类别 | Rectifier Diodes |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
0.2A, 100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, ALF2, SC-40, 2 PIN
二极管