GaAs Power Doubler, 40 - 1000MHz, 20.0dB min. Gain @ 1GHz, High, 440mA max. @ 24VDC砷化镓功率倍增, 40 - 1000MHz的, 20.0分贝分钟。获得@ 1GHz的高, 440毫安最大。 @ 24VDC