LEATBA2A [OSRAM]
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant;
| 型号： | LEATBA2A |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
| 文件： | 总17页 (文件大小：628K) |
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OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE ATB A2A
Abkündigung nach OS-PD-2008-016
Obsolete acc. to OS-PD-2008-016
Besondere Merkmale
Features
• Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie;
planvergossen
• Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit dank Oberflächenemission und
niedrigem Rth
• package: compact lightsource in multi chip on
board technology planar sealed
• feature of the device: outstanding luminance
due to pure surface emission and low Rth
prepared for additional optics
• wavelength: 617 nm (amber),
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
• Wellenlänge: 617 nm (amber),
525 nm (true green), 464 nm (blau)
• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
• Abstrahlende Fläche: typ. 2.1 x 2.1 mm²
• Technologie: Thinfilm InGaAlP (amber),
ThinGaN® (true green, blau)
525 nm (true green), 464 nm (blue)
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 2.1 x 2.1 mm²
• technology: Thinfilm InGaAlP (amber),
ThinGaN® (true green, blue)
• Luminance: 18*106 cd/m² (amber),
14*106 cd/m² (true green), 3.5*106 cd/m² (blue)
• max. optical efficiency: 51 lm/W (amber),
86 lm/W (true green), 17 lm/W (blue) at 100
mA with lens
• mounting methode: screw holes
• connector: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B
• Leuchtdichte: 18*106 cd/m² (amber),
14*106 cd/m² (true green), 3,5*106 cd/m² (blau)
• max. optischer Wirkungsgrad:
51 lm/W (amber), 86 lm/W (true green),
17 lm/W (blau) bei 100 mA mit Linse
• Montierbarkeit: verschraubbar
• Stecker: 10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B
• method of packing: 25 pcs. per tray
= packing unit
• Verpackungseinheit: 25 St. pro Box
= Verpackungseinheit
Anwendungen
Applications
• Projektoren
• projectors
• Medizintechnik: Operationslampen
• Mikroskopbeleuchtung
• Scheinwerfer
• medical lighting: surgery light
• microscope illumination
• spotlights
• Verkehrszeichen
• Hochwertige Blitzlichter
• VMS (variable message signs)
• high end strobe light
2008-12-15
1
LE ATB A2A
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Lichstärke pro Farbe1) Seite 17
Color of Emission
Type
Luminous Intensity per Color1) page 17
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
ΙV (cd)
amber
min.
12
true green
blue
typ.
min.
typ.
min.
typ.
LE ATB A2A
amber
18
true green (2 Chips)
blue
23
28
2
3.5
Typ
Emissionsfarbe
Lichtfluss pro Farbe2)3) Seite 17
Type
Color of Emission Luminous Flux per Color2)3) page 17
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
ΦV (lm)
amber
min.
true green
blue
min.
typ.
min.
typ.
typ.
LE ATB A2A
amber
(37)
(55)
true green (2 Chips)
blue
(71)
(86)
(6)
(10.5)
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
!LE ATB A2A
Q65110A3646
!Abgekündigt nach OS-PD-2008-016 - wird durch LE ATB S2W ersetzt werden.
Obsolete acc. to OS-PD-2008-016 - will be replaced by LE ATB S2W.
Letzte Bestellung / Last Order: 2009-06-30
Letzte Lieferung / Last Delivery: 2009-12-31
2008-12-15
2
LE ATB A2A
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
amber
true
green
blue
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Tboard, op
Tboard, stg
Tj
– 40 … + 85
– 40 … + 85
125
°C
°C
°C
mA
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(Tboard =25°C)
IF
750
700
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t ≤ 10 μs, D = 0.1; TA=25°C
IFM
2000
2000
0.5
2000 mA
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(Tboard=25°C)
VR
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 0.5 V
IR
10
mA
W
Leistungsaufnahme pro Farbe
Power consumption per Color
(Tboard=25°C)
Ptot
2.55
6.0
3.0
* Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
Kennwerte
Charakteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
amber
true
blue
green
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Rth JB
5
K/W
Junction / base plate
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3
LE ATB A2A
Kennwerte
Characteristics
(Tboard = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
amber
true
green
blau
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(typ.) λpeak
627
521
460
nm
Dominantwellenlänge4) Seite 17
Dominant wavelength4) page 17
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(min.) λdom
(typ.) λdom
(max.) λdom
613
617
625
517
525
534
458
464
469
nm
nm
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max
Spectral bandwidth at 50 % Φrel max
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(typ.) Δλ
20
44
24
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % ΙV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % ΙV
(typ.) 2ϕ
120
120
120
Grad
deg.
Durchlassspannung5) Seite 17
(min.) VF
(typ.) VF
(max.) VF
2.1
2.9
3.4
2.9
3.5
4.0
2.9
3.5
4.0
V
V
V
Forward voltage5) page 17
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
Temperaturkoeffizient von λpeak pro Chip
Temperature coefficient of λpeak per chip
(typ.) TCλpeak
0.14
0.08
– 2.5
0.05
0.01
– 4.0
0.05
0.02
– 4.0
nm/K
nm/K
mV/K
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C ≤ T ≤ 100°C
Temperaturkoeffizient von λdom pro Chip
Temperature coefficient of λdom per chip
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C ≤ T ≤ 100°C
(typ.) TCλdom
Temperaturkoeffizient von VF pro Chip
(typ.) TCV
Temperature coefficient of VF per chip
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C ≤ T ≤ 100°C
Optischer Wirkungsgrad ohne Linse
Optical efficiency without Lens
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(typ.) ηopt
25
6
lm/W
25
max. Optischer Wirkungsgrad mit Linse6) Seite 17
max. Optical efficiency with Lens6) page 17
IF = 100 mA (R, T, B)
(typ.) ηopt max.
86
2.0
17
1.0
lm/W
mm²
51
1.0
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
(typ.) AColor
(typ.) LV
Leuchtdichte
Luminance
IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
14*106 3.5*106 cd/m²
18*106
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4
LE ATB A2A
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R25
No. of R/T
characteristics*
B25/50
B25/85
Resistance
Tolerance
Δ RN/RN
B value
Tolerance
Δ B/B
[Ω]
[K]
[K]
10k
EPCOS 8502
3940
3980
± 5%
± 3%
* for further information please visit www.epcos.com
1
1
⎛
⎞
⎠
B ⋅ --- – ------
⎝
T TN
RT = RN ⋅ e
RT = NTC resistance in Ω at temperature T in K
RN = NTC resistance in Ω at rated temperature TN
in K (TN = 298 K for test condition)
T, TN = temperature in K
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
Typische Thermistor Kennlinie2) 7) Seite 17
Typical Thermistor Graph2) 7) page 17
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
T ⋅ TN
----------------
T – TN
RN
⋅ ln-------
RT
B = BN ⁄ T
=
OHL02609
10000
Ω
R
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
10 20 30 40 50 60 70 ˚C 90
TNTC
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5
LE ATB A2A
Relative spektrale Emission2) Seite 17
Relative Spectral Emission2) page 17
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve
Φrel = f (λ), Tboard = 25 °C, IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
OHL02471
100
%
Φrel
80
V
λ
60
blue
true green
amber
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik2) Seite 17
Radiation Characteristic2) page 17
Φrel = f (ϕ); Tboard = 25 °C
OHL01660
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
ϕ
50˚
0.8
0.6
0.4
0.2
0
60˚
70˚
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
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6
LE ATB A2A
Durchlassstrom (amber)2) Seite 17
Forward Current (amber)2) page 17
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
Relative Lichtstärke) 8) Seite 17
Relative Luminous Intensity) 8) page 17
ΙV/ΙV(750 mA (A) / 500 mA (T, B)) = f (IF); Tboard = 25 °C;
tP=1ms, D=0,0003
OHL02694
101
OHL02495
A
IV
IF
IV (ref. mA)
100
100
5
5
true green
blue
amber
10-1
5
10-1
5
10-2
10-2
101
5
102
5 103 mA
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
5
IF
VF
Relative Lichtstärke) Seite 17
Durchlassstrom / (true green / blau)2) Seite 17
Forward Current (true green / blue)2) page 17
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
Relative Luminous Intensity) page 17
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
OHL03077
OHL02695
1.6
3
IV
A
IV (25 ˚C)
IF
1.2
1.0
100
amber
true green
blue
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5
10-1
-40 -20
0
20 40 60
˚C 100
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V 5.5
Tj
V
F
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7
LE ATB A2A
Dominante Wellenlänge2) Seite 17
Dominant Wavelength2) page 17
LA, λdom = f (IF); Tboard = 25 °C
Dominante Wellenlänge2) Seite 17
Dominant Wavelength2) page 17
LT, λdom = f (IF); Tboard = 25 °C
OHL01671
OHL01659
540
618.0
nm
nm
λdom
λdom
617.5
535
617.0
530
amber
616.5
true green
525
520
515
616.0
615.5
615.0
0
200
400
600
mA 1000
0
200
400
600
mA 1000
IF
IF
Dominante Wellenlänge2) Seite 17
Dominant Wavelength2) page 17
LB, λdom = f (IF); Tboard = 25 °C
OHL01670
470
nm
λdom
468
467
466
blue
465
464
463
462
461
0
200
400
600
mA 1000
IF
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8
LE ATB A2A
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 17
Relative Forward Voltage2) page 17
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 750 mA amber
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 17
Relative Forward Voltage2) page 17
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 500 mA (blue/true
green)
OHL02985
OHL02671
0.30
0.4
V
V
ΔVF
ΔVF
0.20
0.2
0.1
0
0.15
0.10
0.05
0
-0.1
-0.2
-0.3
-0.05
-0.10
-60 -40 -20
0
20 40 60 ˚C 100
-60 -40 -20
0
20 40 60 ˚C 100
Tj
Tj
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9
LE ATB A2A
Maximal zulässiger Durchlassstrom
Max. Permissible Forward Current
1 Chip on; IF = f (TS)
Maximal zulässiger Durchlassstrom für 2 Chip
Max. Permissible Forward Current for 2 Chip
(operated parallel;current for single chip is If/2) IF = f (TS)
OHL02591
OHL02592
1000
mA
2000
mA
IF
IF
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1600
1400
amber
blue / true green
amber
blue / true green
1200
1000
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
0
20
40
60
80 ˚C 100
TBoard
TBoard
Maximal zulässiger Durchlassstrom für 4 Chip
Max. Permissible Forward Current for 4 Chip
(operated parallel;current for single chip is If/4) IF = f (TS)
OHL02593
3500
mA
IF
2500
amber
blue / true green
2000
1500
1000
500
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
TBoard
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10
LE ATB A2A
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 25 °C
1 chip operated
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
blue, true green Duty cycle D = parameter, Tboard = 25°C
1 chip operated
OHL02596
OHL02594
2.1
2.1
A
tP
tP
A
tP
tP
IF
IF
IF
IF
D
= T
D
= T
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
2.0
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
T
T
D
=
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.2
0.3
0.5
0.5
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
tp
tp
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
amber Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
1 chip operated
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
blue, true green Duty cycle D = parameter, Tboard = 85°C
1 chip operated
OHL02595
OHL02597
2.1
A
2.1
tP
tP
A
tP
tP
IF
IF
IF
IF
D
= T
D
= T
T
T
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
1.9
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
D
=
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
0.2
0.3
0.5
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms
tp
6
tp
2008-12-15
11
LE ATB A2A
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
Permissible Pulse Handling Capability
true green Duty cycle D = parameter, Tboard = 25°C
2 chips operated parallel; current for single chip is If/2
true green Duty cycle D = parameter, Tboard = 85°C
2 chips operated parallel; current for single chip is If/2
OHL02600
OHL02601
4.2
A
4.2
A
tP
tP
tP
tP
IF
IF
IF
IF
D
= T
4.0
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
D
= T
T
3.8
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
T
D
=
D
=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
0.2
0.3
0.5
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
0.5 1.5
2.5
3.5
4.5 ms 6
tp
tp
2008-12-15
12
LE ATB A2A
Maßzeichnung9) Seite 17
Package Outlines9) page 17
Pin-Assignment:
Chip-Position:
1: Blue
a1: Cathode G1
2: Anode G1
3: Anode B
4: Cathode B
5: NTC
2: Green 1
3: Green 2
4: Amber
6: NTC
7: Cathode G2
8: Anode G2
9: Anode R
10: Cathode R
Kathodenkennung:
Cathode mark:
Gewicht / Approx. weight:
Markierung
mark
2 g
Verwendeter Stecker / Used male connector on board:
JST BM 10B-SR SS-TB (www.jst.com)
Empfohlene Gegenstecker /
Recommended female connector for power supply:
JST SHR-10V-S (www.jst.com)
JST SHR-10V-S-B (www.jst.com)
Kontakt - Pins:
SSH-003T-P0.2 (www.jst.com)
2008-12-15
13
LE ATB A2A
Ersatzschaltbild für den thermischen Widerstand2) Seite 17
Analogon lay out for thermal resistance2) page 17
R
th,chip = 8 K/W
Chip 1
TJunction,chip1
TJunction,chip2
TJunction,chip3
R
th,board = 3 K/W
Board
Chip 2
Chip 3
Chip 4
TBaseplate
=
TAmbient
TSubmount
TJunction,chip4
OHTE2881
Verpackung 9) Seite 17
Method of Packing 9) page 17
25 St. pro Box = Verpackungseinheit
25 pcs. per tray = packing unit
2008-12-15
14
LE ATB A2A
Barcode-Tray-Etikett (BTL)
Barcode-Tray-Label (BTL)
LE xxx xxx
Group: xxxx-xxxx-xxxx
DC: Date Code
Data
Matrix
Code
Bar Code
MATERIAL: Material Number
Batch Batch Number
OHA02684
Kartonverpackung und Materialien
Transportation Packing and Materials
Box
Barcode label
0
-2
0
-
:
1
-2
P
-1
:
1
Q
T
S
R
i
n
2
B
:
in
3
p
m
B
Y
M
in
e
C
R
C
B
T
0
T
2
R
E
D
L
2
0
C
T
X
E
M
2
4
0
2
2
6
T
l
a
a
LSY T676
Multi TOPL
2
n
3
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(X
Original packing label
OHA02886
2008-12-15
15
LE ATB A2A
Revision History: 2008-12-15
Previous Version: 2006-09-27
Page
8
Subjects (major changes since last revision)
Date of change
2006-08-08
Relative Forward Voltage
all
Product Discontinuation OS-PD-2008-016
2008-12-15
Anm.: Gemäß IEC 60825-1 (EN 60825-1) gilt für amber, true green:
Note: According IEC 60825-1 (EN 60825-1) for amber, true green:
LED RADIATION
LED STRAHLUNG
DO NOT VIEW DIRECTLY
WITH OPTICAL INSTRUMENTS
CLASS 1M LED PRODUCT
NICHT DIREKT MIT OPTISCHEN
INSTRUMENTEN BETRACHTEN
LED KLASSE 1M
OHW02884
OHW12884
Anm.: Gemäß IEC 60825-1 (EN 60825-1) gilt für blau:
Note: According IEC 60825-1 (EN 60825-1) for blue:
LED STRAHLUNG
NICHT DIREKT IN
DEN STRAHL BLICKEN
LED KLASSE 2
LED RADIATION
DO NOT STARE INTO BEAM
CLASS 2 LED PRODUCT
OHW12885
OHW02885
Attention please!
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components10) page 17 may only be used in life-support devices or systems11) page 17 with the express written approval of
OSRAM OS.
2008-12-15
16
LE ATB A2A
Remarks:
Fußnoten:
1)
1)
Brightness groups are tested at a current pulse duration
of 25 ms and a tolerance of ± 11%. Condition for
luminous intensity measurement acc. to CIE127
condition A
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt.
Messbedingung für Lichtstärkemessung nach CIE127
Condition A.
2)
2)
Due to the special conditions of the manufacturing
processes of LED, the typical data or calculated
correlations of technical parameters can only reflect
statistical figures. These do not necessarily correspond
to the actual parameters of each single product, which
could differ from the typical data and calculated
correlations or the typical characeristic line.
If requested, e.g. because of technical improvements,
these typ. data will be changed without any further
notice.
Min. ΦV values are calculated from Iv values.
Brightness values stated on page 2 are measured
without primary optics.
Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25
ms and a tolerance of ±1 nm.
Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der
Herstellung von LED können typische oder abgeleitete
technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte
wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht
notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen
Produktes überein, dessen Werte sich von typischen
und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien
unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund
technischer Verbesserungen, werden diese typischen
Werte ohne weitere Ankündigung geändert.
3)
3)
Min. ΦV Werte werden aus den Iv - Werten berechnet.
Die Helligkeitswerte auf Seite
Primäroptik gemessen.
2
wurden ohne
4)
5)
6)
4)
5)
6)
Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 1 ms und einer Genauigkeit von ±0,1 V ermittelt.
Für den Fall, dass eine Optik wie z. B. eine
Halbsphärenlinse als Primäroptik verwendet wird, kann
der Lichtfluss bis zu 40% für rot und grün und 36% für
blau erhöht werden.
Die R-T-Kurve eines NTC läßt sich in einem engen
Bereich um den spezifizierten Wert herum in erster
Näherung durch einen exponentialen Zusammenhang
beschreiben. Sofern eine detailliertere Beschreibung
der R-T-Kurve für die Praxis nötig ist, können eine
ganauere Formel und entsprechende tabellierte Werte
bei EPCOS gefunden werden.
Forward voltages are tested at a current pulse duration
of 1 ms and a tolerance of ±0.1 V.
If an optic, such as a hemispherical lens is added, the
luminous flux values can be increased up to 40% for red
and green and 36% for blue.
7)
7)
The R-T-Curve of an NTC thermistor can be roughly
described in a restricted range around the rated
temperautre. If a more precise desciption of the R/T
curve is required for practical applications a refined
formular and the corresponding tabulated values can be
found at EPCOS
8)
8)
In the range where the line of the graph is broken, you
must expect higher brightness differences between
single LEDs within one packing unit.
Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit
erhöhten
Helligkeitsunterschieden
zwischen
Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit
gerechnet werden.
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch).
Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
9)
9)
Dimensions are specified as follows: mm (inch).
A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
10)
10)
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
11)
11)
Life support devices or systems are intended
(a) to be implanted in the human body,
or
Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a)
die Implantierung in den menschlichen Körper
oder
(b) to support and/or maintain and sustain human life. If
they fail, it is reasonable to assume that the health and
the life of the user may be endangered.
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt.
Falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden,
dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in
Gefahr ist.
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
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2008-12-15
17
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