BP-103 [OSRAM]
NPN-Silizium-Fototransistor;
| 型号： | BP-103 |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | NPN-Silizium-Fototransistor |
| 文件： | 总7页 (文件大小：226K) |
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NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BP 103
Wesentliche Merkmale
Features
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 420 nm bis 1130 nm
• Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm
• Hohe Linearität
• High linearity
• TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
mit Basisanschluß
• TO-18, base plate, transparent epoxy resin
lens, with base connection
Anwendungen
Applications
• Computer-Blitzlichtgeräte
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Computer-controlled flashes
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• Industrieelektronik
• For control and drive circuits
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BP 103
Q62702-P75
BP 103-3
BP 103-3/4
BP 103-4
Q62702-P79-S2
Q62702-P3577
Q62702-P79-S4
2000-01-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
BP 103
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 40 … + 80
°C
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
TS
260
°C
Dip soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
TS
300
°C
Iron soldering temperature, ≥ 2 mm distance
from case bottom t ≤ 3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
VCE
IC
50
V
Kollektorstrom
Collector current
100
200
7
mA
mA
V
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current
ICS
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
VEB
Ptot
RthJA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation
150
500
mW
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
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OPTO SEMICONDUCTORS
BP 103
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
λ
420 … 1130
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
0.12
mm2
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
L × B
L × W
0.5 × 0.5
0.2 … 0.8
± 55
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
mm
H
Halbwinkel
Half angle
ϕ
Grad
deg.
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V
IPCB
IPCB
0.9
2.7
µA
µA
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light a
V
CB = 5 V
Kapazität
Capacitance
V
V
V
CE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
EB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
CCE
CCB
CEB
8
11
19
pF
pF
pF
Dunkelstrom
Dark current
ICEO
5 (≤ 100)
nA
V
CE = 35 V, E = 0
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OPTO SEMICONDUCTORS
BP 103
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
-2
-3
-4
-5
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 lx
IPCE
80 … 160 125 … 250 200 … 400 ≥ 320 µA
Normlicht/standard light A
V
CE = 5 V
IPCE
0.38
5
0.6
7
0.95
9
1.4
12
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
tr, tf
µs
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
VCEsat
150
150
150
150
mV
IC = IPCEmin1) × 0.3
Ee = 0.5 mW/cm2
Stromverstärkung
Current gain
140
210
340
530
–
IPCE
---------
IPCB
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
1)
I
I
PCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
PCEmin is the min. photocurrent of the specified group.
1)
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OPTO SEMICONDUCTORS
BP 103
Relative Spectral Sensitivity
rel = f (λ)
Photocurrent
PCE = f (Ee), VCE = 5 V
Total Power Dissipation
Ptot = f (TA)
S
I
Output Characteristics
IC = f (VCE), IB = Parameter
Output Characteristics
IC = f (VCE), IB = Parameter
Dark Current
CEO = f (VCE), E = 0
I
Photocurrent
Dark Current ICEO/ICEO25° = f (TA),
Collector-Emitter Capacitance
I
PCE/IPCE25° = f (TA), VCE = 5 V
VCE = 25 V, E = 0
CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
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OPTO SEMICONDUCTORS
BP 103
Collector-Emitter Capacitance
CB = f (VCB), f = 1 MHz, E = 0
Emitter-Base Capacitance
C
C
EB = f (VEB), f = 1 MHz, E = 0
Directional Characteristics
rel = f (ϕ)
S
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OPTO SEMICONDUCTORS
BP 103
Maßzeichnung
Package Outlines
Chip position
(2.7)
Radiant sensitive area
1.1
E C B
0.9
ø0.45
1.1
0.9
14.5
12.5
3.6
3.0
ø5.5
ø5.2
GET06017
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
2000-01-01
7
OPTO SEMICONDUCTORS
相关型号：
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