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NTE6400A

更新时间：2024-09-18 02:23:08
品牌：NTE
描述：Unijunction Transistor

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PCB计价

NTE6400A 概述

Unijunction Transistor 单结晶体管 单结晶体管

NTE6400A 规格参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：2.14Is Samacsys：N
配置：SINGLE最大发射极电流：50 mA
最大基极间电压：55 V最大本征偏离比：0.67
最小本征偏离比：0.54JEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
最大峰点电流：25 mA最大功率耗散 (Abs)：0.45 W
认证状态：Not Qualified最大基极间静态电阻：12 kΩ
最小基极间静态电阻：4 kΩ子类别：Unijunction Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最小谷点电流：8 mA
Base Number Matches：1

NTE6400A 数据手册

通过下载NTE6400A数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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NTE6400 & NTE6400A  
Unijunction Transistor  
Description:  
The NTE6400 & NTE6400A Silicon Unijunction Transistors are three terminal devices having a stable  
“N” type negative resistance characteristic over a wide temperature range. A stable peak point volt-  
age, a low peak point current, and a high pulse pulse current make these devices useful in oscillators,  
timing circuits, trigger circuits, and pulse generators where they can serve the purpose of two conven-  
tional silicon or germanium transistors.  
These devices are intended for applications where circuit economy is of primary importance.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
RMS Power Dissipation, PD  
Unstabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450mW  
Stabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9mW/°C  
RMS Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Peak Emitter Current (TJ = +150°C), IE(peak) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Emitter Reverse Voltage (TJ = +150°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V  
Interbase Voltage, VBB  
NTE6400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
NTE6400A . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55V  
Operating Temperature Range, Topr  
Unstabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +140°C  
Stabilized . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.16°C/mW  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Intrinsic Standoff Ratio  
NTE6400  
η
VBB = 10V, Note 1  
0.4  
54  
–
–
0.80  
0.67  
NTE6400A  
Interbase Resistance  
RBBO  
VBB = 3V, IE = 0, Note 1  
4
–
–
12  
30  
kΩ  
mA  
µA  
Modulated Interbase Current  
IB2(MOD) VBB = 10V, IE = 50mA  
6.8  
Emitter Reverse Current  
NTE6400  
IEO  
VB2E = 30V, IB1 = 0  
–
–
–
–
12  
1
NTE6400A  
Peak Point Emitter Current  
Valley Point Current  
IP  
IV  
VBB = 25V  
–
8
3
–
–
–
25  
–
µA  
mA  
V
VBB = 20V, RB2 = 100Ω  
Base–One Peak Pulse Voltage  
VOB1  
–
Note 1. The intristic standoff ratio, η, is essentially constant with temperature and interbase volt-  
age. It is defined by the following equation:  
200  
VP = η VBB  
+
Tj  
Where VP = Peak point emitter voltage  
VBB = Interbase voltage  
Tj = Junction Temperature (Degrees Kelvin)  
Note 2. The interbase resistance is nearly ohmic and increases with temperature in a well–defined  
manner. The temperature coefficient at +25°C is approximately 0.8%/°C.  
.370 (9.39) Dia Max  
.355 (9.03) Dia Max  
.260 (6.6)  
Max  
.500 (12.7)  
Min  
.018 (0.45) Dia  
.210 (5.33) Dia Max  
B2  
B1  
45°  
Emitter  
.031 (.793)  

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