2SB539CQ [NEC]

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,;
2SB539CQ
元器件型号: 2SB539CQ
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

局域网 放大器 晶体管
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型号参数:2SB539CQ参数
生命周期Obsolete
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.77
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JEDEC-95代码TO-3
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值100 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)7 MHz
VCEsat-Max2 V
Base Number Matches1