元器件型号: | 2SB539CQ |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin, 局域网 放大器 晶体管 |
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型号参数:2SB539CQ参数 | |
生命周期 | Obsolete |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.77 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 150 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-3 |
JESD-30 代码 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 100 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 7 MHz |
VCEsat-Max | 2 V |
Base Number Matches | 1 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,
局域网 放大器 晶体管