2SB1430 [NEC]

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING; PNP硅外延晶体管(达林顿连接)低频功率放大器和低速开关
2SB1430
元器件型号: 2SB1430
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING
PNP硅外延晶体管(达林顿连接)低频功率放大器和低速开关

晶体 开关 放大器 晶体管 功率放大器
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型号参数:2SB1430参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.75
风险等级5.35
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
Base Number Matches1