元器件型号: | 2SB1318-M |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 晶体 二极管 小信号双极晶体管 达林顿晶体管 开关 |
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型号参数:2SB1318-M参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | NEC ELECTRONICS AMERICA INC |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.73 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 100 V |
配置 | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 2000 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
晶体 二极管 小信号双极晶体管 达林顿晶体管 开关