元器件型号: | 2SA1009-H |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN 晶体 晶体管 |
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型号参数:2SA1009-H参数 | |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | NEC COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICES LTD |
包装说明 | TO-220AB, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.61 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 2 A |
集电极-发射极最大电压 | 350 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220AB, 3 PIN
晶体 晶体管