元器件型号: | 2SA1006 |
生产厂家: | NEC |
描述和应用: | PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
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型号参数:2SA1006参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | NEC ELECTRONICS AMERICA INC |
包装说明 | TO-220, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.75 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 1.5 A |
集电极-发射极最大电压 | 180 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | PNP |
功耗环境最大值 | 25 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 80 MHz |
VCEsat-Max | 1 V |
Base Number Matches | 1 |
PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
PNP / NPN硅外延型晶体管