2SA1006 [NEC]

PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR; PNP / NPN硅外延型晶体管
2SA1006
元器件型号: 2SA1006
生产厂家: NEC    NEC
描述和应用:

PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
PNP / NPN硅外延型晶体管

晶体 晶体管 功率双极晶体管 放大器 局域网
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型号参数:2SA1006参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商NEC ELECTRONICS AMERICA INC
包装说明TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.75
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压180 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值25 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1