NT5CC64M16FP-DII
更新时间：2024-09-18 23:13:32
品牌：NANYA
描述：Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 1Gb SDRAM
概述
规格参数
数据手册NT5CC64M16FP-DII 概述
Commercial, Industrial and Automotive DDR3(L) 1Gb SDRAM DRAM
NT5CC64M16FP-DII 规格参数
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TFBGA, | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.66 | 访问模式： | MULTI BANK PAGE BURST |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B96 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 96 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.45 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.283 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.35 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 9 mm | Base Number Matches： | 1 |
NT5CC64M16FP-DII 数据手册
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