元器件型号: | CM30MD1-12H |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE |
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型号参数:CM30MD1-12H参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | POWEREX INC |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.84 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 30 A |
集电极-发射极最大电压 | 600 V |
配置 | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X21 |
元件数量 | 6 |
端子数量 | 21 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 66 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
VCEsat-Max | 2.8 V |
MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
中功率开关使用FLAT- BASE型,绝缘型