CM30MD1-12H [MITSUBISHI]

MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE; 中功率开关使用FLAT- BASE型,绝缘型
CM30MD1-12H
元器件型号: CM30MD1-12H
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
中功率开关使用FLAT- BASE型,绝缘型

开关
PDF文件: 总5页 (文件大小:132K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:CM30MD1-12H参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商POWEREX INC
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.84
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X21
元件数量6
端子数量21
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)66 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max2.8 V