CM20MD3-12H [MITSUBISHI]

MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE; 中功率开关使用FLAT- BASE型,绝缘型
CM20MD3-12H
元器件型号: CM20MD3-12H
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

MEDIUM POWER SWITCHING USE FLAT-BASE TYPE, INSULATED TYPE
中功率开关使用FLAT- BASE型,绝缘型

开关
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型号参数:CM20MD3-12H参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.89
其他特性UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)20 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND SINGLE PHASE DIODE BRIDGE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X21
元件数量6
端子数量21
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)57 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)500 ns
标称接通时间 (ton)420 ns
VCEsat-Max2.8 V
Base Number Matches1