CM150E3Y-12E [MITSUBISHI]

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel;
CM150E3Y-12E
元器件型号: CM150E3Y-12E
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

电动机控制 栅 晶体管
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型号参数:CM150E3Y-12E参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.81
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元件数量1
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)950 ns
标称接通时间 (ton)1100 ns
Base Number Matches1