CM150E3U-12H [MITSUBISHI]

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE; IGBT模块大功率开关使用绝缘型
CM150E3U-12H
元器件型号: CM150E3U-12H
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
IGBT模块大功率开关使用绝缘型

晶体 开关 晶体管 功率控制 双极性晶体管 栅 局域网 高功率电源 超快速恢复二极管
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型号参数:CM150E3U-12H参数
是否无铅 含铅
是否Rohs认证 不符合
生命周期Not Recommended
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.23
Is SamacsysN
其他特性SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)150 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)600 W
认证状态Not Qualified
子类别Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)300 ns
标称接通时间 (ton)100 ns
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1