元器件型号: | CM1200HA-50H |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:53K) |
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型号参数:CM1200HA-50H参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9 |
针数 | 9 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.24 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 1200 A |
集电极-发射极最大电压 | 2500 V |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X9 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 9 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 10420 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 3500 ns |
标称接通时间 (ton) | 3600 ns |
VCEsat-Max | 4.16 V |
Base Number Matches | 1 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
大功率开关使用绝缘型