元器件型号: | CM1000DU-34NF |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:107K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:CM1000DU-34NF参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | POWEREX INC |
零件包装代码 | MODULE |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
针数 | 7 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.67 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 1000 A |
集电极-发射极最大电压 | 1700 V |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 3900 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | POWER CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 1100 ns |
标称接通时间 (ton) | 750 ns |
VCEsat-Max | 2.8 V |
Base Number Matches | 1 |
IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
IGBT模块大功率开关使用