元器件型号: | BA01202 |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | GaAs HBT HYBRID IC(N-CDMA hand set) |
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型号参数:BA01202参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
包装说明 | LCC8,.24SQ,100 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.88 |
Is Samacsys | N |
特性阻抗 | 50 Ω |
构造 | COMPONENT |
增益 | 25 dB |
最大输入功率 (CW) | 5 dBm |
JESD-609代码 | e0 |
安装特点 | SURFACE MOUNT |
端子数量 | 8 |
最大工作频率 | 1910 MHz |
最小工作频率 | 1850 MHz |
最高工作温度 | 95 °C |
最低工作温度 | -30 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | LCC8,.24SQ,100 |
电源 | 3.2 V |
射频/微波设备类型 | NARROW BAND MEDIUM POWER |
子类别 | RF/Microwave Amplifiers |
表面贴装 | YES |
技术 | GAAS |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
GaAs HBT HYBRID IC(N-CDMA hand set)
砷化镓HBT混合IC (N- CDMA手集)