元器件型号: | 2SK2973 |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers) |
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型号参数:2SK2973参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.82 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最小功率增益 (Gp) | 13 dB |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | FET General Purpose Power |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers)
RF功率MOS FET ( VHF / UHF功率放大器)