元器件型号: | 2SC3105 |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR) |
PDF文件: | 总2页 (文件大小:99K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2SC3105参数 | |
生命周期 | Obsolete |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6 |
针数 | 5 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.82 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | BASE |
最大集电极电流 (IC) | 10 A |
集电极-发射极最大电压 | 17 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F6 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 80 W |
最大功率耗散 (Abs) | 80 W |
最小功率增益 (Gp) | 3 dB |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
NPN外延平面型( RF功率晶体管)