2SC3022 [MITSUBISHI]

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR); NPN外延平面型( RF功率晶体管)
2SC3022
元器件型号: 2SC3022
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)
NPN外延平面型( RF功率晶体管)

晶体 晶体管 局域网
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型号参数:2SC3022参数
生命周期Obsolete
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.61
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压17 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
最小功率增益 (Gp)4.7 dB
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1