元器件型号: | 2SC2628 |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR) |
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型号参数:2SC2628参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, R-CQPM-F4 |
针数 | 4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.84 |
Is Samacsys | N |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 17 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CQPM-F4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 40 W |
最大功率耗散 (Abs) | 4 W |
最小功率增益 (Gp) | 11.8 dB |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | QUAD |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(RF POWER TRANSISTOR)
NPN外延平面型( RF功率晶体管)