元器件型号: | 2SC1969 |
生产厂家: | MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR |
描述和应用: | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications) |
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型号参数:2SC1969参数 | |
生命周期 | Obsolete |
零件包装代码 | SFM |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.29.00.95 |
风险等级 | 5.75 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 6 A |
集电极-发射极最大电压 | 25 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 20 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications)
NPN外延平面型(用于在HF频段的移动无线电应用的RF功率放大器)