2SC1969D [MITSUBISHI]

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, T-30, 3 PIN;
2SC1969D
元器件型号: 2SC1969D
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, T-30, 3 PIN

放大器 功率放大器 无线 局域网
PDF文件: 总3页 (文件大小:144K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:2SC1969D参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商MITSUBISHI ELECTRIC CORP
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.75
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)90
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1