2SC1966 [MITSUBISHI]

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications); NPN外延平面型(对UHF频段移动无线应用的射频功率放大器)
2SC1966
元器件型号: 2SC1966
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifier on UHF band mobile radio applications)
NPN外延平面型(对UHF频段移动无线应用的射频功率放大器)

晶体 放大器 小信号双极晶体管 射频小信号双极晶体管 功率放大器 无线 局域网
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型号参数:2SC1966参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.78
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压17 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F6
元件数量1
端子数量6
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值10 W
最大功率耗散 (Abs)10 W
最小功率增益 (Gp)7.8 dB
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1