2SC1945 [MITSUBISHI]

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications); NPN外延平面型(用于在HF频段的移动无线电应用的RF功率放大器)
2SC1945
元器件型号: 2SC1945
生产厂家: MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR    MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR
描述和应用:

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for RF power amplifiers on HF band Mobile radio applications)
NPN外延平面型(用于在HF频段的移动无线电应用的RF功率放大器)

晶体 放大器 晶体管 功率双极晶体管 功率放大器 无线 局域网
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型号参数:2SC1945参数
生命周期Obsolete
零件包装代码SFM
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.29.00.95
风险等级5.82
Is SamacsysN
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值20 W
最大功率耗散 (Abs)20 W
认证状态Not Qualified
子类别Other Transistors
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1