VTB600/S
更新时间：2024-09-18 17:27:50
品牌：MICROSEMI
描述：Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 600V V(RRM), Silicon,
概述
规格参数
数据手册VTB600/S 概述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 600V V(RRM), Silicon, 整流二极管
VTB600/S 规格参数
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON ANODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.5 V |
| JESD-30 代码： | O-XUPM-D4 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 250 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 最大输出电流： | 12.5 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
VTB600/S 相关器件
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| VTB600/T | MICROSEMI | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 2 Element, 12.5A, 600V V(RRM), Silicon, | 获取价格 |
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