1N3673RE3

更新时间:2024-09-19 01:18:14
品牌:MICROSEMI
描述:Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PIN

1N3673RE3 概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-203AA, METAL, DO4, 1 PIN 整流二极管

1N3673RE3 规格参数

生命周期:Active包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.64
应用:POWER外壳连接:ANODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-203AA
JESD-30 代码:O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:22 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT最大重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

1N3673RE3 数据手册

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