元器件型号: | 050R12GOFE3 |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN 栅 栅极 |
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型号参数:050R12GOFE3参数 | |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
风险等级 | 5.75 |
配置 | SINGLE |
最大直流栅极触发电流 | 100 mA |
最大维持电流 | 200 mA |
JEDEC-95代码 | TO-208AC |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
最大均方根通态电流 | 80 A |
断态重复峰值电压 | 1200 V |
重复峰值反向电压 | 1200 V |
表面贴装 | NO |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN
栅 栅极