050R12GOFE3 [MICROSEMI]

Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN;
050R12GOFE3
元器件型号: 050R12GOFE3
生产厂家: MICROSEMI CORPORATION    MICROSEMI CORPORATION
描述和应用:

Silicon Controlled Rectifier, 80A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN

栅 栅极
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型号参数:050R12GOFE3参数
生命周期Active
IHS 制造商MICROSEMI CORP
包装说明POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
风险等级5.75
配置SINGLE
最大直流栅极触发电流100 mA
最大维持电流200 mA
JEDEC-95代码TO-208AC
JESD-30 代码O-MUPM-D2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大均方根通态电流80 A
断态重复峰值电压1200 V
重复峰值反向电压1200 V
表面贴装NO
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
触发设备类型SCR
Base Number Matches1