元器件型号: | 03508HWF |
生产厂家: | MICROSEMI CORPORATION |
描述和应用: | Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN 可控硅 |
PDF文件: | 总3页 (文件大小:160K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:03508HWF参数 | |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | MICROSEMI CORP |
零件包装代码 | TO-65 |
包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2 |
针数 | 2 |
Reach Compliance Code | compliant |
HTS代码 | 8541.30.00.80 |
风险等级 | 5.11 |
Is Samacsys | N |
标称电路换相断开时间 | 30 µs |
配置 | SINGLE |
关态电压最小值的临界上升速率 | 500 V/us |
最大直流栅极触发电流 | 150 mA |
最大直流栅极触发电压 | 2 V |
最大维持电流 | 500 mA |
JEDEC-95代码 | TO-208AC |
JESD-30 代码 | O-MUPM-D2 |
JESD-609代码 | e0 |
最大漏电流 | 20 mA |
通态非重复峰值电流 | 800 A |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最大通态电压 | 2.8 V |
最大通态电流 | 40000 A |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | POST/STUD MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
最大均方根通态电流 | 63 A |
断态重复峰值电压 | 800 V |
重复峰值反向电压 | 800 V |
子类别 | Silicon Controlled Rectifiers |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | SOLDER LUG |
端子位置 | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
触发设备类型 | SCR |
Base Number Matches | 1 |
Silicon Controlled Rectifier, 63A I(T)RMS, 40000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AC, TO-65, 2 PIN
可控硅