2SD1616A

更新时间:2024-09-18 02:24:35
描述:NPN SILICON TRANSISTOR

2SD1616A 概述

NPN SILICON TRANSISTOR NPN硅晶体管 小信号双极晶体管

2SD1616A 规格参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.34
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):1 A
集电极-发射极最大电压:60 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):45JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzBase Number Matches:1

2SD1616A 数据手册

通过下载2SD1616A数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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2SD1616A  
NPN  
SILICON  
MICROTRANSISTOR  
4.68  
DESCRIPTION  
TO-92B  
(0.18)  
2SD1616A is NPN silicon planar  
transistor designed for use in driver and  
output stages of AF amplifier, general  
purpose application.  
0.4  
4.6  
3.58  
(0.016)  
B C E  
(0.18)  
(0.14)  
2.54  
(0.1)  
10  
0.51  
12.7  
(0.5)  
min.  
(0.02)  
Bottom view  
Unit: mm(inch)  
0.45  
(0.018)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Collector-Emitter Voltage  
VCEO  
60V  
120V  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
6V  
Collector Current Continuous  
Total Power Dissipation @ Ta=25oC  
Operating & Storage Junction Temperature  
1A  
Ptot  
Tj,Tstg  
0.65W  
-55 to +150oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25oC)  
PARAMETER  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
D.C. Current Gain  
D.C. Current Gain  
Base-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
SYMBOL MIN MAX UNIT  
CONDITIONS  
ICBO  
IEBO  
100  
100  
350  
nA VCB=60V IE=0  
nA VEB=6V  
VCE=2V  
IC=0  
HFE *  
HFE *  
VBE *  
VCE(sat) *  
VBE(sat) *  
Cob  
170  
45  
IC=100mA  
IC=1A  
VCE=2V  
600  
700  
0.5  
1.2  
mV VCE=2V  
V
V
IC=50mA  
IB=50mA  
IB=50mA  
IC=1A  
IC=1A  
VCB=10V IE=0  
19  
TYP.  
pF  
fT  
VCE=2V  
Vcc=10V  
IC=100mA  
IC=100mA  
Gain Bandwidth Product  
100  
MHz  
Turn-On Time  
Storage Time  
Fall Time  
ton  
t
stg  
t
f  
0.07 TYP.  
0.95 TYP.  
0.07 TYP.  
µs  
µs  
µs  
IB1=-IB2=10mA  
VBE(off)=-2 to 3V  
* Pulse test PW 350µs, duty cycle 2%.  
MICRO ELECTRONICS LTD.  
G/F, 38 Hung To Road, Kwun Tong, Kowloon, Hong Kong.  
Kwun Tong P.O. BOX 69477, Hong Kong. TEL: (852) 23430181 FAX: (852) 23410321  
HOMEPAGE: http://www.microelectr.com.hk E-MAIL ADDRESS: common@microelectr.com.hk  

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