SBR560 [JSMC]

SCHOTTKY BARRIER DIODE;
SBR560
型号: SBR560
厂家: JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.    JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.
描述:

SCHOTTKY BARRIER DIODE

局域网 功效 瞄准线 二极管
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肖特基势垒二极管  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
R
SBR560  
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS  
封装 Package  
IF(AV)  
VRRM  
Tj  
5A  
60 V  
125℃  
VF(max)  
0.53V @Tj=100℃)  
用途  
l 低压高频整流  
APPLICATIONS  
DO-201AD  
l Low voltage,high  
frequency rectifier  
l Free wheeling diodes,  
polarity protection  
applications  
l 低压续流电路和保护电  
SMC  
FEATURES  
产品特性  
lLow power loss, high efficiency  
lHigh Operating Junction  
Temperature  
l低功耗,高效率  
l良好的高温特性  
l有过压保护环可靠性  
l环保(RoHS)产品  
lGuard ring for overvoltage  
protectionHigh reliability  
lRoHS product  
订货信息 ORDER MESSAGE  
订 货 型 号  
无卤素  
器件重量  
Order codes  
Marking  
SBR560  
SBR560  
SBR560  
SBR560  
Package  
Halogen Free  
Packaging  
Tape  
Tape  
Tape  
Tape  
Device Weight  
SBR560DR  
SBR560D  
SBR560PR  
SBR560P  
DO-201AD 是  
YES  
1.01g(approx.)  
1.01g(approx.)  
0.24g(approx.)  
0.24g(approx.)  
DO-201AD NO  
SMC  
SMC  
YES  
NO  
版本(Rev.)201510C  
1/6  
R
SBR560  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)  
符 号  
数 值  
单 位  
Parameter  
最大反向重复峰值电压  
Symbol  
Value  
Unit  
VRRM  
VDC  
60  
V
V
Repetitive peak reverse voltage  
最大直流阻断电压  
60  
5
Maximum DC blocking voltage  
正向平均整流电流 TC=100℃  
Average forward  
整个器件  
per device  
IF(AV)  
A
A
current  
正向峰值浪涌电流  
Surge non repetitive forward current  
IFSM  
120  
(额定负8.3ms 半正弦波JEDEC 方法)  
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)  
最高结温  
Tj  
125  
Maximum junction temperature  
储存温度  
TSTG  
-40~+150  
Storage temperature range  
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
Unit  
µA  
mA  
V
Parameter  
Tests conditions  
Value(min) Value(typ) Value(max)  
Tj =25℃  
250  
50  
IR  
VR=VRRM  
IF=5A  
Tj =100℃  
Tj =25℃  
Tj =100℃  
0.52  
0.50  
0.55  
0.53  
VF  
V
热特THERMAL CHARACTERISTICS  
符 号  
最小值  
最大值 单 位  
Parameter  
Symbol  
Value(min) Value(max) Unit  
结到壳的热阻  
DO-201AD  
SMC  
25  
Rth(j-c)  
Rth(j-a)  
Thermal resistance from  
junction to case  
37  
/W  
结到环境的热阻  
DO-201AD  
SMC  
70  
Thermal resistance from  
junction to ambient  
120  
版本(Rev.)201510C  
2/6  
肖特基势垒二极管  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)  
IR vs VR  
IF vs VF  
CJ vs VR  
IF(AV) vs TC()  
版本(Rev.)201510C  
3/6  
肖特基势垒二极管  
SCHOTTKY BARRIER DIODE  
R
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
DO-201AD  
Unit mm  
版本(Rev.)201510C  
4/6  
R
SBR560  
外形尺寸 PACKAGE MECHANICAL DATA  
SMC  
Unit mm  
版本(Rev.)201510C  
5/6  
R
SBR560  
注意事项  
NOTE  
1. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd sales its  
product either through direct sales or sales  
agent , thus, for customers, when ordering ,  
please check with our company.  
1.吉林华微电子股份有限公司的产品销售分  
为直销和销售代理论哪种方式货时  
请与公司核实。  
2. We strongly recommend customers check  
carefully on the trademark when buying our  
product, if there is any question, please don’t  
be hesitate to contact us.  
2.购买时请认清公司商标有疑问请与公司  
本部联系。  
3. Please do not exceed the absolute maximum  
ratings of the device when circuit designing.  
4. Jilin Sino-microelectronics co., Ltd reserves  
the right to make changes in this  
3.在电路设计时请不要超过器件的绝对最大  
额定值,否则会影响整机的可靠性。  
4.本说明书如有版本变更不另外告知  
specification sheet and is subject to change  
without prior notice.  
联系方式  
吉林华微电子股份有限公司  
CONTACT  
JILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.  
公司地址:吉林省吉林市深圳99 号  
ADD: No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  
Province, China.  
邮编:132013  
Post Code: 132013  
总机:86-432-64678411  
传真:86-432-64665812  
网址:www.hwdz.com.cn  
Tel86-432-64678411  
Fax86-432-64665812  
Web Sitewww.hwdz.com.cn  
市场营销部  
MARKET DEPARTMENT  
ADD:No.99 Shenzhen Street, Jilin City, Jilin  
Province, China.  
地址:吉林省吉林市深圳99 号  
邮编:132013  
Post Code: 132013  
电话:86-432-64675588  
64675688  
Tel: 86-432-64675588  
64675688  
64678411-3098/3099  
传真: 86-432-64671533  
64678411-3098/3099  
Fax: 86-432-64671533  
附录(Appendix修订记录(Revision History)  
日期  
旧版本  
新版本  
修订内Description of Changes  
Date  
Last Rev. New Rev.  
20140812 201404A 201408B VF 参数规格值0.56V 加严0.55V。  
20151027 201510C Revised Rth(j-a),Rth(j-c) Spec.  
版本(Rev.)201510C  
6/6  

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APITECH

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Narrow Band Medium Power Amplifier, 10MHz Min, 100MHz Max, H2, TO-8B
APITECH

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CURRENT 5.0 AMPERES VOLTAGE 20 TO 100 VOLTS
DAESAN

SBR6

STANDARD RECOVERY 1-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIERS
SEMTECH

SBR60100

60 Amp Schottky Rectifier
MICROSEMI

SBR60100R

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 60A, 100V V(RRM), Silicon, DO-203AB, HERMETIC SEALED, DO-5, 1 PIN
MICROSEMI