元器件型号: | 5962R9678601QWC |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | Radiation Hardened 8-Bit Bidirectional CMOS/TTL Level Converter |
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型号参数:5962R9678601QWC参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, |
针数 | 22 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.39.00.01 |
风险等级 | 5.82 |
最大延迟 | 50 ns |
接口集成电路类型 | CMOS TO TTL TRANSCEIVER |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T22 |
JESD-609代码 | e4 |
位数 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 22 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
输出特性 | 3-STATE |
输出锁存器或寄存器 | NONE |
输出极性 | TRUE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-PRF-38535 Class V |
最大供电电压 | 5.25 V |
最小供电电压 | 4.75 V |
标称供电电压 | 5 V |
电源电压1-最大 | 10.5 V |
电源电压1-分钟 | 9.5 V |
电源电压1-Nom | 10 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | DUAL |
总剂量 | 100k Rad(Si) V |
Radiation Hardened 8-Bit Bidirectional CMOS/TTL Level Converter
抗辐射的8位双向CMOS / TTL电平转换器