5962R9676601VXC [INTERSIL]

Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM; 抗辐射256 ×8 CMOS RAM
5962R9676601VXC
元器件型号: 5962R9676601VXC
生产厂家: INTERSIL CORPORATION    INTERSIL CORPORATION
描述和应用:

Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM
抗辐射256 ×8 CMOS RAM

内存集成电路 静态存储器 CD
PDF文件: 总11页 (文件大小:113K)
下载文档:  下载PDF数据表文档文件
型号参数:5962R9676601VXC参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商HARRIS SEMICONDUCTOR
包装说明DFP,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
HTS代码8542.32.00.41
风险等级5.82
其他特性TWO PROGRAMMABLE 8-BIT I/O PORTS
JESD-30 代码R-CDFP-F42
JESD-609代码e4
长度26.924 mm
内存密度2048 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量42
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.54 mm
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
总剂量100k Rad(Si) V
宽度16.256 mm
Base Number Matches1