元器件型号: | 5962F9562601QYC |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM |
PDF文件: | 总5页 (文件大小:136K) |
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型号参数:5962F9562601QYC参数 | |
生命周期 | Transferred |
IHS 制造商 | HARRIS SEMICONDUCTOR |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8542.32.00.71 |
风险等级 | 5.69 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | RADIATION-HARDENED PROM |
JESD-30 代码 | R-CDFP-F28 |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | OTP ROM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 8KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLATPACK |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
总剂量 | 300k Rad(Si) V |
Base Number Matches | 1 |
Radiation Hardened 8K x 8 CMOS PROM
抗辐射8K ×8 CMOS PROM