元器件型号: | 2N5517 |
生产厂家: | INTERSIL CORPORATION |
描述和应用: | DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER |
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型号参数:2N5517参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | HARRIS SEMICONDUCTOR |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.92 |
FET 技术 | JUNCTION |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.25 W |
子类别 | FET General Purpose Small Signal |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
DUAL N CHANNEL JFET LOW NOISE AMPLIFIER
双N沟道JFET低噪声放大器