TT240N34 [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier,;
| 型号： | TT240N34 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, |
| 文件： | 总4页 (文件大小：38K) |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modu
Phase Control Thyristor Module
N
TT 240 N 28...36
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
VDRM, VRRM
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
2800, 3000
3200, 3400
3600
V
V
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDSM
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
2800, 3000
3200, 3400
3600
V
V
V
non-repetitive peak forward off-state voltage
VRSM
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
2900, 3100
3300, 3500
3700
V
V
V
non-repetitive peak reverse voltage
ITRMSM
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
700
A
TC = 85°C
ITAVM
Dauergrenzstrom
240
445
A
A
TC = 19°C
average on-state current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
ITSM
Stoßstrom-Grenzwert
6100
5500
A
A
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
surge current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t
186000
151000
A²s
A²s
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
I²t-value
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
DIN IEC 747-6
Kritische Stromsteilheit
100
A/µs
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
critical rate of rise of on-state current
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
Kritische Spannungssteilheit
6. Kennbuchstabe / 6th letter C
6. Kennbuchstabe / 6th letter F
critical rate of rise of off-state voltage
500
V/µs
V/µs
1000
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iT = 1200A
vT
Durchlaßspannung
on-state voltage
max. 3,43
1,17
V
Tvj = Tvj max
V(TO)
Schleusenspannung
threshold voltage
V
Tvj = Tvj max
rT
Ersatzwiderstand
slope resistance
1,70
mΩ
mA
V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Tvj = 25°C, vD = 6V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
Zündstrom
max. 250
gate trigger current
Zündspannung
max.
1,5
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 6V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
max.
max.
10
5
mA
mA
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
0,2
V
Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω
Haltestrom
max. 300
max. 1500
max. 250
mA
mA
mA
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 10Ω
IL
Einraststrom
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tG = 20µs
latching current
Tvj = Tvj max
iD, iR
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
vD = VDRM, vR = VRRM
MOD-MA; R. Jörke
17. Feb 98
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module
N
TT 240 N 28...36
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug
DIN IEC 747-6
tgd
max.
4,5 µs
gate controlled delay time
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = 400A
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
5. Kennbuchstabe / 5th letter O
typ.
350 µs
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1min
RMS, f = 50Hz, t = 1sec
VISOL
3,0 kV
3,6 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
pro Modul / per module, Θ = 180°sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180°sin
pro Modul / per module, DC
pro Zweig / per arm, DC
Innerer Wärmewiderstand
RthJC
max. 0,0390 °C/W
max. 0,0780 °C/W
max. 0,0373 °C/W
max. 0,0745 °C/W
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
pro Modul / per module
pro Zweig / per arm
RthCK
Tvj max
Tc op
Tstg
max. 0,010 °C/W
max. 0,020 °C/W
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
125 °C
- 40...+125 °C
- 40...+130 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si-Elemente mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellets with pressure contact, amplifying-gate
Innere Isolation
AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
Toleranz / tolernance ±15%
M1
M2
G
6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz / tolernance +5% / -10%
12 Nm
Gewicht
weight
typ.
1500
g
Kriechstrecke
19 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
17. Feb 98
MOD-MA; R. Jörke
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modu
Phase Control Thyristor Module
N
TT 240 N 28...36
MOD-MA; R. Jörke
17. Feb 98
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modu
N
Phase Control Thyristor Module
TT 240 N 28...36
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
[
]
0,00194 0,00584 0,01465 0,0254
Rthn °C / W
0,0267
3,00
[ ]
τn s
0,000732 0,00824
0,108
0,57
t
−
nmax
τn
Analytische Funktion:
ZthJC
=
R
1−e
thn
∑
n=1
17. Feb 98
MOD-MA; R. Jörke
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